國星光電Micro LED最新進展

作者 | 發布日期 2020 年 11 月 30 日 13:50 | 分類 Micro LED

日前,國星光電公布了MiniLED產品的最新規劃,隨后,該公司在行業論壇上也透露了Micro LED技術研發的最新進展。

今年6月,國星推出第一代Micro LED顯示新品 nStarⅠ,采用玻璃基板工藝、RGB芯片巨量轉移技術以及一體式超薄封裝技術,有助于實現被動式驅動Micro LED全彩顯示屏。

國星Micro LED顯示新品 nStarⅠ(圖片來源:國星)

目前,國星光電在Micro LED領域已實現了較大的技術突破,在第一代Micro LED顯示屏的基礎上,已與面板廠合作開發出基于TFT玻璃背板的主動式驅動Micro LED全彩顯示屏。

近日,國星采用自主研發的巨量轉移技術,已經初步實現250PPI以上紅/綠/藍單色轉移鍵合點亮。預計明年將實現P0.1以下的主動式驅動全彩顯示及P0.0x以下的被動式驅動單色顯示,未來可滲透在4k/8k大尺寸電視顯示屏、車載顯示屏、穿戴設備顯示設備、AR/VR等應用市場。

MiniLED芯片方面,早前公開消息顯示,國星半導體的Mini芯片已通過客戶驗證規格,可供應直顯與背光產品,目前實現小批量出貨。

本月底,國星RGB事業部將推出高性價比國星MiniLED IMD-M09標準版,預計在2021年做到0.015元/像素點。在承接了SMD 1010在規模化和價格上的優勢的基礎上,MiniLED IMD-M09標準版未來價格有望低于SMD 1010。

產能方面,國星現有IMD產能是1000KK/月,預計2021年Q1將顯著提升。值得注意的是,19億的新基地擴產項目將于明年開始啟用。(LEDinside整理)

更多LED相關資訊,請點擊LED網或關注微信公眾賬號(cnledw2013)