湖南三安半導體項目芯片廠房封頂,預計6月全面投產

作者 | 發布日期 2021 年 01 月 21 日 11:50 | 分類 產業

19日,湖南三安半導體項目最大單體M2B芯片廠房完成封頂。標志著湖南三安第三代半導體產業園項目(一期)Ⅰ標段主體工程完工,預計今年6月份有望實現全面投產。

圖片來源:長沙晚報

據悉,該棟廠房占地面積為2.32萬平方米,建筑面積5.23萬平方米,鋼構大屋面面積1.65萬平米。

此前,湖南三安半導體項目(一期)Ⅰ標段已相繼完成M3器件封裝廠房、M4碳化硅長晶廠房和濺鍍廠房位主體結構封頂。

據了解,湖南三安半導體項目總占地面積1000畝,總投資160億元,項目分兩期建設,主要包含具有自主知識產權的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產業生產基地的建設。

該項目建成達產后將形成超百億元的產業規模,并帶動上下游配套產業產值預計逾千億元。(來源:長沙晚報、LEDinside整理)

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