三安集成宣布完成碳化硅MOSFET量產平臺打造

作者 | 發布日期 2020 年 12 月 08 日 13:40 | 分類 產業

三安光電子公司三安集成于日前宣布,已經完成碳化硅MOSFET器件量產平臺的打造。

圖片來源:拍信網正版圖庫

三安集成方面介紹,本次推出的1200V 80mΩ 碳化硅MOSFET已完成研發并通過一系列產品性能和可靠性測試,其可廣泛適用于光伏逆變器、開關電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動等應用領域,目前多家客戶處于樣品測試階段。

與傳統的硅基IGBT功率器件相比,寬禁帶碳化硅材料擁有更高的耐壓和耐熱、更快的開關頻率和更低的開關損耗的特性。在相同的功率下,碳化硅MOSFET自身器件損耗小,極大減小了器件的散熱需求,使系統朝著小型化,輕量化,集成化的方向發展。

此外,三安集成的碳化硅MOSFET通過優化器件結構和布局,大大增強碳化硅體二極管的通流能力,不需要額外并聯二極管,降低系統成本和減小系統體積。三安集成通過反復試驗和優化柵氧條件,閾值電壓的穩定性得到明顯提高,1000hr的閾值漂移在0.2V以內。

據悉,三安集成碳化硅肖特基二極管于2018年上市后,已完成了從650V到1700V的產品線布局,并累計出貨達百余萬顆。從碳化硅肖特基二極管到MOSFET,三安集成在3年時間內便完成了碳化硅器件產品線布局。

值得關注的是,目前行業內碳化硅MOSFET不斷傳出缺貨的聲音,三安集成加速碳化硅器件產能擴張。今年7月計劃總投資160億元在長沙高新區開工建設占地1000畝的湖南三安碳化硅全產業鏈園區,目前項目一期工程建筑主體已拔地而起,計劃將于2021年6月開始試產。(LEDinside整理)

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