湖南三安獲1.54億元產業扶持資金

作者 | 發布日期 2020 年 11 月 16 日 13:43 | 分類 產業

日前,三安光電發布公告宣布全資子公司湖南三安半導體有限責任公司(以下簡稱“湖南三安”)獲得產業扶持資金近1.54億元。

公告顯示,根據三安光電與長沙高新技術產業開發區管理委員會簽訂的《項目投資建設合同》,長沙高新技術產業開發區管理委員會同意撥付湖南三安15,372.65萬元,湖南三安已于11月13日收到這筆款項。

湖南三安是三安光電在長沙投建的160億元第三代半導體項目的實施主體,經營范圍包括研發、生產及銷售6吋SiC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET等第三代半導體產品。

此項目聚焦包括但不限于碳化硅的第三代半導體產業,擬建設長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業鏈。8月消息顯示,湖南三安已完成部分項目用地摘牌,剩余土地也將盡快摘牌,項目處于基礎建設階段。

圖片來源:拍信網正版圖庫

早前,三安光電表示,長沙高新技術產業開發區管理委員會給予項目實施主體補助、扶持、補貼等支持資金,包括科技研發專項扶持、生產要素補貼、兩高人才補貼、市場拓展等。

本次獲得產業扶持資金,在一定程度上有助于湖南三安推動第三代半導體項目的建設與實施。據了解,該項目在用地各項手續和相關條件齊備后24個月內完成一期項目建設并實現投產,48個月內完成二期項目建設和固定資產投資并實現投產,72個月內實現達產。

除了長沙第三代半導體項目以外,三安光電同時正在穩步推進其他幾個關于Mini/Micro LED、化合物半導體的大項目。

其中,湖北葛店120億元Mini/Micro LED芯片產業化項目去年7月正式開工,今年順利推進,預計明年3月項目投產見效。

福建泉州333億元高端氮化鎵LED襯底等七大產業化項目也正在順利推進中,并于今年加快了發展步伐,項目已有部分設備調試完成,產能正在逐步釋放。(文:LEDinside Janice)

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